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Volnic伏达 UI9611 MOS管分选仪

型    号:UI-9611
所属分类:Volnic伏达
报    价: 市场价:
更新时间:2024-03-04

Volnic伏达 UI9611 MOS管分选仪
◆ 测量参数:开启电压,内阻,跨导,耐压
◆ 测量范围: UGS(th): 0.1~9.9V, RDS: 0.001~9.999Ω, gm: 0.10~10.00S, V(BR)DS: 50~650V

UI-9611Volnic伏达 UI9611 MOS管分选仪的详细资料:



品牌其他品牌产地类别国产
应用领域电气

  Volnic伏达 UI9611 MOS管分选仪


◆ 测量参数:开启电压,内阻,跨导,耐压
◆ 测量范围: UGS(th): 0.1~9.9V, RDS: 0.001~9.999Ω, gm: 0.10~10.00S, V(BR)DS: 50~650V
◆ 测试电流:0.1~5A 连续程控可调 ,模拟不同工况
◆ 可设定上下限,可分档,超限自动声光报警

◆ 在大电流下准确测量内阻的技术。



  Volnic伏达 UI9611 MOS管分选仪

二. 主要功能和技术指标1. 测量参数:开启电压 UGS(th)饱和内阻 RDS跨导 gm耐压 V(BR)DSR2. 测试条件: 饱和内阻的电流测试条件 电流 0.100-5.000 数控连续可调 跨导的电流测试条件 电流 0.100-5.000 数控连续可调 开启电压的电流测试条件 恒流测试,共三个档,分别为 10.0mA,1.0mA,0.1mA3. 对测试的 gm进行分档,可显示批号;对 UGS(th)、RDS、V(BR)DSR进行超限判断,若不合格蜂鸣器发出讯响,同时指示灯指明哪一项不合格。4. 测试范围及精度UGS(th): 0.1 V~9.9 V 精度 2.5%±2 个字RDS: 0.000 Ω~2.500 Ω 精度 2.5%±2 个字gm: 0.00 S~10.0 S 精度 2.5%±3 个字V(BR)DSR: 50 V~650 V 精度 2.5%±3 个字___________________________________________________________________ 伏 达 仪 器- 4 -5. 四窗口数字显示所测数据,读数直观。6. 所有测试、分档、超限判断、合格提示等工作,全部由内置电脑自动完成。整个过程只需 1 秒钟。7. 既适用于实验室,又适用于生产线快速筛选。三. 基本原理1.开启电压 UGS(th)如图 1 在 MOS 管 G 极上加上一个幅值逐渐增大的电压,当 ID为 100μA时,MOS 管 G、S 两端的电压即为 UGS(th)。2.饱和内阻 RDS如图 2 所示,MOS 管 G、S 端加一高电平 Ui,使 MOS 管饱和导通,测得D、S 端的电压 UDS和电流 IDS,饱和内阻 RDS由下式计算所得:RDS= UDS/ IDSGD图 1+12IDSGD图 2+12SUDS IDSUi___________________________________________________________________ 伏 达 仪 器- 5 -3.跨导 gm测试gm = ΔIDS/ΔUi 单位:西门子(S)。4.耐压 V(BR)DSR测试如图 4 把 G、S 极短接,仪器自动增加高压值,当漏电流到达 1mA 时所施加的电压即为耐压 V(BR)DSR。GD图 3+12SIDSUiGD图 4可调高压S 电流取样___________________________________________________________________ 伏 达 仪 器- 6 -四. 操作说明在使用本仪器进行测量之前,首先应根据被测 MOS 管的特性,决定该 MOS管的测试条件,若要进行大批量的同规格测试,为提高测试效率,减轻测试人员的工作负担,建议使用本仪器的分选功能。注意:为得到正确的测量结果,请正确设定参数。在使用本仪器前,请详细阅读本章内容。1、仪器前面板2、参数设定本仪器设定参数分为 2 种:测试条件参数设定和分选参数设定。(1)测试条件设定根据被测 MOS 管的特性,决定需要设定哪些参数,并选择相应的按键。 饱和内阻测试条件:饱和内阻测试应设定 IDS 的电流值。在面板的“测试条件"按键区域里,按下 RDS 键,进入饱和内阻测试条件设定。仪器显示为 tc Rds x.xxx –A ,提示进入设定测量饱和内阻时的电流值。修改数据用↑、↓、→三键,闪烁位是可修改位,用“↑"、“↓"可使闪烁位数据加减 1,这一位修改完毕,用“→"移动闪烁位,然后继续使用“↑"、“↓"键修改,直到每一位都修改到需要值为止。最后按“ENTER"键予以确认,仪器保存该参数,同时RDS UON批 号刷 新ggm0 1m A .1 mA1 0m A gmRDS UON E N T ER R E FR E S HL O T 不合格N GUON gm RDS U PL O FORWARD批 号LO T 测试台___________________________________________________________________ 伏 达 仪 器- 7 -退出设定。 跨导测试条件:跨导测试应设定 IDS 的电流值。在面板的“测试条件"按键区域里,按下 gm 键,进入跨导测试条件的设定。显示为tc Gfs x.xxx –A ,提示进入设定测试跨导时的电流大小。修改数据用↑、↓、→三键,闪烁位是可修改位,用“↑"、“↓"可使闪烁位数据加减 1,这一位修改完毕,用“→"移动闪烁位,然后继续使用“↑"、“↓"键修改,直到每一位都修改到需要值为止。最后按“ENTER"键予以确认,并退出设定,当无需修改设定数据时,可直接按下“ENTER"键予以确认,仪器保存该参数,同时退出设定。 开启电压测试条件:开启电压测试应设定 IDS 的电流值。在面板的“测试条件"按键区域里,按 Uon 键,观察电流指示灯的位置,选择相应的测试电流。(2)分选设定在大批量的测试中,为提高测试效率,往往使用仪器的分选功能。为得到正确的分选结果,必须要对仪器进行正确的参数设定。在仪器面板的“分选判据"按键区域里,测得的 4 个参数都可以上下限报警或可分档,具体如下。其中 gm 为跨导,可分档,并可上、下限报警UGS(th) 为开启电压,上、下限报警RDS 为内阻,上限报警V(BR)DSR 为耐压,下限报警①开启电压 UGS(th):按 “UON"键,进入开启电压设定第一步:设定下限。根据筛选要求输入每位数据,输入完毕,按“ENTER"键确认。下限输入完毕,仪器进入上限设定。第二步:设定上限。同上设定完毕,按“ENTER"键。测试数据在上、下___________________________________________________________________ 伏 达 仪 器- 8 -限之间仪器判断为合格,否则为不合格。②饱和内阻 RDS设定按 “RDS"键,进入 RDS设定状态,为上限报警。输入饱和内阻上限值,数据设定完毕后,按“ENTER"键后仪器保存数据。③跨导 gm设定按 “gm"键,进入 gm 设定状态,依次输入各档的分档数据,并按“ENTER"键确认,完毕时输入结束符 9.99,并按““ENTER"键确认, gm判据设定完成。举例:某单位对 gm分选做以下要求:小于 1.00 不合格,1.00~1.50 之间为第一档;1.50~2.00 之间为第二档,大于 2.00 不合格。根据这一要求,依次输入 1.00、1.50、2.00、9.99 四个数据。仪器判断时,小于 1.00,大于 2.00 判为不合格;在 1.00~2.00 之间为合格,并进行分档。9.99 只是结束符,不作为判据使用。如果某个三极管 gm测试值为 1.30,则仪器显示批号时显示为 1,即表示处在 1.00~1.50 之间。④耐压 V(BR)DSR设定按“VBR(DSR)"键,进入耐压设定状态, 为下限报警。输入耐压下限值,数据设定完毕后,按“ENTER"键后仪器保存数据。3、测试操作(1) 确定被测 MOS 管的测试条件已正确设定。(2) 若是大批量测试,确定被测 MOS 管的分选测试已正确设定。(3) 插上 MOS 极管,仪器自动测试 UGS(th)、RDS、gm,如果想测 V(BR)DSR,请按测试盒上的红色按键,仪器就自动测试耐压。(4) 若希望在测试 gm时显示批号,请按面板上的“批号"键。(5) 当被测 MOS 管插在插座上时,若按刷新键,仪器自动重新测量一次。___________________________________________________________________ 伏 达 仪 器- 9 -(6) 当内阻测试明显超过预定数值时,可能仪器需要清零操作,请按第五章内容进行正确的清零操作。


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